Bipolartransistor 4.12 - IHT-Stuttgart Lecture Series - Mikroelektronik II (ME II)/ClipID:36268 vorhergehender Clip nächster Clip

Aufnahme Datum 2021-10-05

Sprache

Deutsch

Einrichtung

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Produzent

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

In diesem Kurs finden Sie Vorlesungsaufzeichnungen vergangener Vorlesungen vom Stuttgarter IHT von Prof. Schulze. Die Inhalte der Vorlesungen sind ähnlich zur am LEB angebotenben Vorlesung Halbleiterbauelemente (HBE). Die Videos werden hier zum Selbststudium angeboten und können sich parallel zu den Vorlesungen angeschaut werden.

Die Vorlesung befasst sich mit den Grundlagen der Festkörperphysik, die für das Verständnis der gängigen Halbleiterbauelemente benötigt werden. Es werden die Grundbausteine besprochen, aus denen jedes Halbleiterbauelement aufgebaut ist (pn-Übergang, Schottky-Kontakt und MOS-Varaktor). Darüber hinaus werden die Charakteristika der pn-Diode, des Bipolartransistors und des Langkanal-MOSFETs hergeleitet.

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Schulze, Jörg
Prof. Dr.-Ing. Jörg Schulze
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