8 - Electrochemical etching strategy for shaping monolithic 3D structures from 4H‐SiC wafers/ClipID:49088 vorhergehender Clip nächster Clip

Aufnahme Datum 2023-09-14

Lehrende(r)

André Hochreiter

Sprache

Englisch

Einrichtung

Lehrstuhl für Angewandte Physik

Produzent

Lehrstuhl für Angewandte Physik

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