1 - Halbleitertechnik III - Leistungshalbleiterbauelemente Übung (HL III - LBE) 2024/2025/ClipID:55060 nächster Clip

Aufnahme Datum 2024-10-22

Lehrende(r)

Julian Schwarz

Sprache

Deutsch

Einrichtung

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Produzent

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Nach einer Einführung in die Anwendungsgebiete, die Historie von Leistungshalbleiterbauelementen und die relevante Halbleiterphysik, werden die heute für kommerzielle Anwendungen relevanten Ausführungsformen von monolithisch integrierten Leistungsbauelemente besprochen. Zunächst werden Bipolarleistungsdioden und Schottkydioden als gleichrichtende Bauelemente vorgestellt. Anschließend werden der Aufbau und die Funktion von Bipolartransistoren, Thyristoren, unipolaren Leistungstransistoren (MOSFETs) und IGBTs erörtert. Dabei wird neben statischen Kenngrößen auch auf Schaltvorgänge und Schaltverluste eingegangen sowie die physikalischen Grenzen dieser Bauelemente diskutiert. 

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