Halbleitertechnik III - Leistungshalbleiterbauelemente Übung (HL III - LBE) Übung /KursID:2860
- Letzter Beitrag vom 2022-12-05

Lehrende(r)

Julian Schwarz

Einrichtung

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Aufzeichnungsart

Übung / Tafelübung

Zugang

Studon

Sprache

Deutsch

Nach einer Einführung in die Anwendungsgebiete, die Historie von Leistungshalbleiterbauelementen und die relevante Halbleiterphysik, werden die heute für kommerzielle Anwendungen relevanten Ausführungsformen von monolithisch integrierten Leistungsbauelemente besprochen. Zunächst werden Bipolarleistungsdioden und Schottkydioden als gleichrichtende Bauelemente vorgestellt. Anschließend werden der Aufbau und die Funktion von Bipolartransistoren, Thyristoren, unipolaren Leistungstransistoren (MOSFETs) und IGBTs erörtert. Dabei wird neben statischen Kenngrößen auch auf Schaltvorgänge und Schaltverluste eingegangen sowie die physikalischen Grenzen dieser Bauelemente diskutiert. 

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